Computex 2018 大會在今日正式揭開序幕，Intel 亦率先在 Computex 2018 首日舉行了「Intel Keynote」主題演講，在未開始前已有不少的消息傳出會發佈 40 週年紀念版的 Core i7-8086K，又或者會發佈全新的 Z390 晶片組，究竟在會上 Intel 會發佈甚麼新產品? 就等 HKEPC 為大家報導一下。

在 Computex 2018 大會首日舉行的「Intel Keynote」由Intel資深副總裁暨客戶運算事業群總經理 Gregory Bryant 發表主題演講，一開始 Gregory Bryant 提到在下個月 Intel 將踏入 50 週年，是一個非常值我慶祝的日子，雖則在近年續步轉向數據為中心的時代，但Gregory Bryant表明個人電腦仍然是 Intel業務仍然是最關鍵的部份，並相信這個領域在未來還有有很多的機會。

除了Intel 將會踏入50週年之外，Gregory Bryant亦提到在Intel x86 架構已有40 年的歷史，在1978 年6 月8 日發佈了第一顆 16-bit 的 8086 處理器，並成為IBM-PC 處理器架構的最主要標準，為了紀念x86架構、16-bit處理器8086誕生40週年，Intel將會推出限量版第8代 Intel Core i7-8086K處理器，並將會在 2018 年 6 月8 日正式推出市場。

在日前已報導過 Intel 40 週年紀念版 Core i7-8086K 在北美及俄羅斯網店現身，雖然可以提前預購，但確實的上市時間將會在 6 月 8日，目前在萬能的淘寶網已有不少商家將這顆處理器上架，訂價為人民幣 3999 元。

由於這款 40 週年紀念版 Core i7-8700K 處理器全球僅限量推出 5 萬顆，預計剛上市很快就會出現供不應求的情況，基本上未知香港將會獲得多少貨存，想獲得一顆真是得來不易。

Intel 繼宣佈將會推出「Optane DC Persistent Memory」後，最新再確認正在開發兩款不同的 QLC 固態硬碟，分別針對消費和商用市場，將會採用 64 層 QLC 3D NAND Flash，最大儲存容量將高達 20TB，並將會在今年下半年推出市場。

在較早時間，Toshiba 及 Micron 已宣佈將會推出新一代的 QLC NAND Flash，基本上，QLC NAND 採用 4 bits per cell 的寫入方式，每個單元添加更多 bits 也會影響 NAND 單元的壽命，因此會減少可寫入的次數。就像TLC 一樣，很多新技術如error-correction mechanisms錯誤糾正機制，可有助增加了各個SSD的使用壽命，同時 QLC 亦將可提供 1000 P/E Cycle 寫入壽命。

在客戶端市場方面，Intel將在今年下半年推出基於QLC的SSD，儘管還沒有正式命名，但預計將會是早前洩露的 Intel 660p 型號，為一款採用 PCIe 3.0 x2 接口且容量高達 2TB 的低階 M.2 SSD，運行速度高達 1,800 MB / s。

根據網上最新的消息，Intel 正在準備為入門級市場推出新款的 Xeon 處理器，全部基於 Coffee Lake-S 架構，屬於 Xeon E 系列 -- Xeon E3 的後續產品，合共提供了 10 款型號，最多可達 6 核心設計，當中部份型號更內建了 iGPU 繪圖效能。

Intel 全新的 Xeon 處理器產品共有 10 款型號，主要針對入門級伺服器及工作站平台，型號分別為「Xeon E-2124」、「Xeon E-2124G」、「Xeon E-2126G」、「Xeon E-2134」、「Xeon E-2136」、「Xeon E-2144G」、「Xeon E-2146G」、「Xeon E-2174G」、「Xeon E-2176G」及「Xeon E-2186G」。

據了解，Xeon E-2100 仍舊基於 Coffee Lake 架構，採用 LGA1151 接口，支援 C246 晶片組主機板，有關各種型號的規格尚未確認，只有 「Xeon E-2124G」和「Xeon E-2176G」是 已知型號的，據稱「Xeon E-2124G」是四核心、四線程處理器，但提供了 Turbo 模式， 3.4 GHz 的基本時脈可以擴展到 4.5 GHz。 「Xeon E-2176G」與 Core i7-8700K 相似：12 線程工作在 3.7GHz 至 4.7GHz 時脈。

自從 Intel 及 Micron 在 2015 年開始合作研發 3D XPoint 技術以來，外界一直非常期待能夠推出基於這種技術打造的記憶體，Intel 在去年宣佈將會推出Optane DIMM 的儲存設備並在近日正式公佈相關資料，「Optane DC Persistent Memory」 備有 128 GB、256 GB 及 512 GB，相比現有的記憶體提供更大的儲存容量、持久性及更高的數據傳輸效率。

Intel 全新「Optane DC Persistent Memory」 DIMM 記憶體適合用於伺服器中的 DDR4 插槽，基於 3D XPoint 技術的“堆疊”性質，可以提供更好的性能。「Optane DC Persistent Memory」DIMM 記憶體結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點，具有 DRAM 的速度及低延遲，同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度，即使在斷電的情況下仍具有數據儲存的能力。

非易失性儲存器通常用於固態驅動器和 USB 隨身碟（NAND），而易失性存儲器通常用於系統記憶體（DRAM），由於 Optane DIMM 記憶體是一種非易失性儲存器，所以這種類型的儲存設備在設備關閉時仍能保存數據，並非如一般的記憶體一樣會失去未儲存的資料，而 Intel 就將兩者結合並打造成 DIMM 記憶體外形的產品，同時其寫入續航能力比 NAND Flash 更好。