Qualcomm 22 日召開的 5G 峰會上正式發佈第二代千兆級 LTE 解決方案 Snapdragon X20 晶片組，基於 10nm FinFET 製程工藝打造首款商用的產品，擁有「像光纖一樣」高達 1.2 Gbps 的 LTE Category 18 下載速度，相較上代產品提升了 20% 的下載速度。

全新 Snapdragon X20 晶片組可支援橫跨授權與非授權 FDD 和 TDD 頻譜、最高達 5x20 MHz Carrier Aggregation ，並在最多 3 路聚合的 LTE 載波上支援 4x4 MIMO ，亦是首款支援雙 SIM 卡雙 VoLTE （ DSDV ）功能的 Snapdragon LTE 數據機。 Snapdragon X20 LTE 數據機是首款商用支援單晶片射頻收發，它能夠同時接收最多達 12 路的 LTE 串流數據。隨著數家領先的 OEM 廠商和運營商在全球發布支援千兆級 LTE 的終端和網絡， Snapdragon X20 LTE 數據機的推出將在整個移動生態系統中推動全新連接體驗的發展。

通過使用 4x4 MIMO 技術， Snapdragon X20 LTE 數據機的峰值速率可超過千兆級 LTE 。通過這些功能， Snapdragon X20 LTE 數據機僅使用 3 個 20 MHz 載波即可同時接收 12 個獨立數據流。同時 Snapdragon X20 LTE 數據機支援 256-QAM ，下載速率提升至約 100Mbps ，在上載方面亦支援 2x20MHz 載波聚合及 64-QAM ，可提供高達 150Mbps 的速率。

Qualcomm 早前公佈了下代旗艦級手機或平板必配的高階處理器 - Snapdragon 835 ，但未有就規格細節作進一步說明，僅表示以最新 10nm 工藝制程製造，引起市場人士注意，近日該處理器規格細節正式曝光，讓用家率先窺探下代新處理器特點。

相對 12nm - 14nm 制程， 10nm 的世界更為精密複雜，經過多年以 14nm 制程生產經驗， Qualcomm 正式將 10nm 制程帶到用家裝置內，率先於最新 Sanpdragon 835 以 10nm 工藝制程生產，並是首枚支援 Windows 10 的 ARM 處理器，搭配該處理器的智能手機將 2017 年上半年正式推出，令市場期待。

最新 Sanpdragon 835 定位高階市場，以 4 組 2.45GHz 高效能核心及 4 組 1.9 GHz 省電核心組成 8 核心 Kryo 280 架構，效能得 27% 提升，並將功耗降低 40% ，讓現時的手機運作更具效率並加長電池續航力。此外，更精細制程令 835 體積縮減 30% ，手機內有限的狹小空間能被充份利用。

Qualcomm 上月正式透露即將推出 2017 年高階行動處理器 - Snapdragon 835 ，高調表示該處理器為業界首款採用 10nm 工藝製程處理，效能功耗大幅優化，雖然官方尚未正式公佈規格，但市場人士已得到該平台，並已進行評測，一賭為快。

Qualcomm Snapdragon 835 由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發，率先採用 10nm 工藝制程，官方表示，晶片封裝比 14nm 晶片減少達 30% ，效能上亦得到 27% 的提昇，功耗方面更減低 40% ，更加入 Quick Charge 4.0 快速充電技術，整體令人期待。

據市場人士表示，相對近兩代均採用四核心為高階處理器構架的藍圖， Snapdragon 835 改用 8 組處理核心構成，時脈為 2.2GHz ，內建 Adreno 540 GPU ，繪圖效能比 Snapdragon 821 亦提升 30% ，效能頂級。

Qualcomm 17 日宣佈下一代旗艦流動處理器 - Snapdragon 835 (QS835) 正式投產，預計內建 QS 835 的裝置將於 2017 年上半年面世，該處理器由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發，據稱採用 10 nm 工藝制程製造，並加入 Quick Charge 4.0 快充技術。

市場上主流高階手機 / 平板大部份均採用 Qualcomm Snapdragon 821 處理器，但很快將會改朝換代，因 Quclomm 近日發出消息指下代 Snapdragon 835 已經開始量產，由 Samsung 代工，將於 2017 年上半年正式面世。

暫時仍未公佈具體細節，據現時所知 QS835 將會進一步採用 10nm 工藝制程，意味內部更加精密及微細，晶片封裝比 14nm 晶片減少達 30% ，有利開發者架設更佳硬件佈局。同時，效能上亦得到 27% 的提昇，功耗方面更減低 40% ，整體有利流動裝置的發展。

Qualcomm 最新推出的三款針對中階及入門級市場的處理器，包括 Snapdragon 653 、 Snapdragon 626 及 Snapdragon 427 ，三款新品亦改用 X9 LTE 調解器晶片組，提供 Cat 7 下載及 Cat 13 上載能力，傳輸速率最高分別為 300 Mbps 下載速度及最高 150Mbps 上載速度，相對上代 X8 LTE 晶片提升 50% 效能。

另外，為滿足用家對充電速度的需求，加入 Quick Charge 3.0 快充技術於晶片內，據官方表示只需 35 分鐘左即可為電池充入 80% 電量。同時，拍攝模組方面新增支援雙鏡頭功能，為新鏡頭技術作出準備。

Qaulcomm Snapdragon(QS) 653 處理器為上代 QS 652 升級版，以 28nm HPm 工藝製造，整合採用 4 組 高效 ARM Cortex-A72 核心配合 4 組省電 ARM Cortex-A53 核心組成八核心 64 bit 架構，時脈提升至 1.95GHz ，相對上代提升約 10% 效能。