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【停用 Hyper Threading 可更完整緩解漏洞?!】 Intel MDS 修補更新將導致 3%-9% 效能損失
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Intel 處理器又發現存在安全漏洞再次震撼全個IT界,雖然 Intel 已聯同資安社群及不同的平台業者在同一天發表漏洞細節與修補程式,但究竟安裝修補程式後會對平台有幾大影響? 會不會好像之前修補 Spectre、Meltdown 攻擊時會影響處理器的效能? 為了釋除擔憂外界的疑慮,Intel 已發佈了基準測試顯示 MDS 緩解的性能影響,同時表明更新的確會對處理器效能造成影響,大多數修補後的消費級設備在最壞的情況下可能會有 3% 的性能損失,在數據中心環境中則高達 9%。並聲稱實際使用時難以察覺。

Intel 官方網站的公告指出:關於微架構數據採樣(MDS)安全問題,我們近期的很多產品已經在硬件層面得以解決了,包括很多第8 代和第 9 代 Intel Core 處理器、以及第 2 代 Intel XeonScalable 處理器系列。對其它受影響的產品,用戶可以通過微代碼更新、並結合今天發布的相應操作系統和虛擬機管理程序的更新獲取安全防禦。我們在官方網站上也提供了更多信息,並一如既往的鼓勵大家保持系統的及時更新,因為這是保持安全的最佳途徑之一。我們在此要感謝那些與我們通力協作的研究人員、以及為此次協同披露做出貢獻的行業合作夥伴們。

對處理器效能造成的影響方面,Intel 指啟用這些緩解措施後,預計對大多數基於 PC 客戶端應用程式的基準測試性能影響最小,某些數據中心工作負載的性能或資源使用率可能會受到影響,因此影響程度可能會有所不同。
【企圖淡化嚴重程度?!新漏洞僅評為「中等」】 Intel 又有漏洞!!影響 2011 年至今年所有處理器
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Intel 再被發現處理器存在安全漏洞!! 在日前安全研究人員披露 Intel 處理器有 4 個新的漏洞,使用的攻擊類似於去年發現的 Meltdown 和 Spectre 漏洞,經由該漏洞黑客可以直接從處理器中竊取到敏感資訊。雖然 Intel 將新漏洞威脅歸類為“低” 及“中等” 水平,但研究人員表示漏洞比實際更為嚴重,4 個新漏洞幾乎影響到 Intel 自 2011 年以來推出的所有處理器。

Intel 公佈了一類新的投機性執行漏洞,稱為 MDS 微架構數據採樣,它影響了所有現有的 CPU。據了解,是次漏洞將影響自 2011 年以來推出的處理器,包括 Intel Xeon、Broadwell、Sandy Bridge、Skylake 和 Haswell 等晶片型號,Kaby Lake、Coffee Lake、Whiskey Lake 及 Cascade Lake,還有所有的 Atom 和 Knights 處理器。

漏洞讓人想起 Meltdown 和 Spectre,漏洞是利用了預測執行機制中的問題。預測執行機制是現代處理器工作方式的重要組成部分,可以幫助處理器在一定程度上預測應用或操作系統在不久的未來可能需要什麼,從而讓應用運行速度更快、效率更高。如果需要,處理器可以執行預測,如果不需要則直接丟棄。
【RAM 槽插 SSD 時代來臨!! 單條可達 512GB】 Intel Optane DC 記憶體快將登陸消費級市場
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Intel 在去年正式發佈全新的「Intel Optane DC Persistent Memory」,主要的賣點是彌補 DRAM 與NAND 之間的價格及性能差距,讓客戶能夠以經濟實惠的方式儲存更多的數據,直至上月Intel 正把「Intel Optane DC Persistent Memory」推出帶到企業級用戶市場,然而後續的發展呢?! Intel在上週的投資者會議上透露「Intel Optane DC Persistent Memory」即將帶給消費用戶,首先在2019年下半年會下放到工作站市場,不過具體格就未有公佈。

Intel「Optane DC Persistent Memory」採用了標準的 DDR4 記憶體插槽,備有 128 GB、256 GB 及 512 GB,相比現有的記憶體提供更大的儲存容量、持久性及更高的數據傳輸效率。「Optane DC Persistent Memory」最大功耗18W,頻率最高等同於 DDR4-2666,讀取頻寬最高 6.8GB/s,寫入頻寬最高2.3GB/s,由於是基於 3D XPoint 技術的“堆疊”性質,因此可以提供更好的性能。

「Optane DC Persistent Memory」DIMM 記憶體結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點,具有 DRAM 的速度及低延遲,同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度,由於 Optane DIMM 記憶體是一種非易失性儲存器,所以這種類型的儲存設備在設備關閉時仍能保存數據,並非如一般的記憶體一樣會失去未儲存的資料,而 Intel 就將兩者結合並打造成 DIMM 記憶體外形的產品,同時其寫入續航能力比 NAND Flash 更好。
【Intel x AMD 晶片組搶名大戰 Round 2!!】 X299R、X299G、X499、X599 齊齊現身
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近兩年AMD 及Intel在型號命名「鬥過你死我活」,原本 Intel 採用規律式的「一字母搭三個數目字」的主機板晶片組命名方式,但半路中途殺出 AMD,你有 B250、B360、B365、Z390、X99、X299、X599,我有B350、B450、Z490、 X399、X499,擺到明「截胡」,HEDT 平台的「命名爭奪戰」在今年亦會非常精彩,日前在EEC網站上就突然出現了多款X開頭的 HEDT 平台主機板,看來 AMD 與 Intel 都會為 HEDT 平台更新。

據了解,AMD即將發佈的第三代 Threadripper 會帶來新的 X499 晶片組,並繼續兼容上代的X399,在之前EEC歐亞經濟委員會被發現的資料,GIGABYTE 將會有三款 X499 型號主機板推出,分別為「X499 AORUS XTREME WATERFORCE」、「X499 AORUS MASTER」及「X499 DESIGNARE EX-10G」,具體發佈時間未知,就要看 AMD 甚麼時候公佈第三代 Threadripper。

最新在 EEC 數據庫又出現了多款來自 GIGABYTE 的Intel X299R、X299G、X599 主機板型號,在X299平台就包括了「X299G AORUS XTREME WATERFORCE」、「X299G DESIGNARE EX」、「X299G DESIGNARE EX-10G」、「X299G AORUS MASTER」、「X299R AORUS XTREME WATERFORCE」及「X299R DESIGNARE EX」。
【++++++ 的延續!!10nm、7nm 都有份】 Intel 預計最快 2021 年進入 7nm 工藝
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Intel 今天舉行了 2019 年投資者會議,透露了不少公司未來的路線圖發展,由於 10nm 工藝在過去幾年一直停滯不前,的確為 Intel 帶來了極大的困難,不過 CEO Robert Swan 表示,今年將會推出 10nm 客戶端產品,2020 年上半年則會推出伺服器 10nm 產品,緊接 10nm 的將會是 7nm 工藝,預計將會在 2021 年問世。

Intel 在現有由 14nm 轉到 10nm 系列面對最大的難題就是熱功耗的部份,因為 Intel 已表明其 10nm 工藝節點的最進步,就是可以對每瓦性能帶來了一些明顯的改進,與目前的 14nm ++ 相比,10nm 將會是一次迭代性的效能大躍進。

根據 Intel 最新的資料,10nm 將提供的一些主要升級包括:
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