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10nm 制程 IPC 性能最高提升 19% Intel 11 代 Core-H 行動處理器正式開售
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Intel 11 日正式發佈第 11 代 Core-H 系列行動處理器,主要針對高性能 Notebook 及 Gaming Notebook 市場,採用 10nm SuperFin 程、Willow Cove 微架構,最高提供 8 核心、16 線程,核心時脈最高可達 5GHz,支援 PCIe Gen 4、Thunderbolt 4 與 Wi-Fi 6E 無線網絡,搶攻高階 Notebook 產品市場。

全新 11 代 Core-H 處理器、代號 Tiger Lake-H,規格與桌面版 Rocket Lake 非常相似,採用全新 10 核心 SuperFin 制程、Willow Cover 處理器核心,性能相較 10 代 Core-H 處理器 IPC 性能最高提升 19%,並且追加 PCIe 4.0 規格,換上新一代 500 系列晶片組,DMI x8 頻寬相較上代增加一倍,雖然性能與頻寬進一步提升,但功耗表現維持低水平。

新平台還增加了 20 條 PCIe 4.0 Gen4 Lanes,用作連接新一代 GPU 與 SSD 產品,記憶體支緩亦提升至 DDR4-3200、具備高速 Thunderbolt 4 連接埠支援 40Gbps 傳輸速度以及次世代 Wi-Fi 6E 無線網絡。
【跑贏 AMD!?】Z690 首次現身,今年年底登場 Intel 12 代 ADL_S 兼容 DDR4、DDR5 兩代 RAM
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早前曾有業內人仕透露 AMD Zen 4 處理器或受 TSMC 5nm 產能不足的影響略延至 2022 年上市,相反對家 Intel 在擁有自家生產線的情況下,搶先一步在今年底推出全新第 12 代 Core 系列 Alder Lake-S 處理器,更有機會率先在下一代新平台支援 DDR5 記憶體及 PCIe 5.0,日前在 HWiNFO 即將推出的

中,除了解決了已知 Alder Lake 處理器 IMC Gear Mode 及 DDR5 Wrong CRC 等問題之外,同時亦新加入支援部份 ASUS Z690 系列及 ROG MAXIMUS XIV 的主機板,更是 Z690 平台首次公開現身,難度 Intel 今次真係「跑贏」AMD ??

爆料大神
散熱孔距 78 x 78 不相容舊散熱器 Intel 12 代 Alder Lake-S 需使用新扣具
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據散熱器廠商透露,Intel 第 12 代 Core 處理器 ( 代號 Alder Lake-S) 將會改用 LGA1700 接口,散熱器規格亦有所改變,扣具孔距由原本 LGA115X / LGA1200 的 75mm x 75mm,變成 LGA1170 的 78mm x 78mm,因此現有散熱器需要更改扣具設計,否則無法過渡至 12 代新平台。

據了解,全新第 12 代 Alder Lake-S CPU 將採用增強版的 10nm ESF 制程,相較現有 10nm SuperFin 功耗再降低 15%,更採用了全新 big.LITTLE 混合式 CPU 架構,大核心將會採用全新的 Golden Cove CPU 核心,小核心將採用 Atom 的 Gracemont 核心,8 大 8 小提供最高 16 核心、24 線程,性能表現絕對不能忽視。

Alder Lake 的大核心 Golden Cove 的性能相較 Tiger Lake 的 Willow Cove 核心,在 IPC 性能上有至少 20% ,小核心 Gracemont 則與 Skylake 性能相約,綜合 IPC 性能大慨會有 16~18% 性能長。
10nm 、單晶片 40 核心、8 通道 DDR4 Intel Xeon Scalable (Ice Lake-SP) 登場
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10nm 制程、代號 Ice Lake-SP 的第 3 代 Xeon Scalable 伺服器處理器,相較舊有 14nm Cooper Lake 只有 28 核心,全新 Ice Lake-SP 是單晶片實現 40 核心、80 線程,採用全新 Sunny Cove CPU 微架構,官方宣稱平均性能可提升 46%,同時亦是首款支援 AI 運算加速的伺服器處理器。

據了解,Intel 第 3 代 Xeon Scalable 伺服器處理器採用 LGA 4189 封裝,尺寸為 77.66mm x 56.66mm,面積達到 4,400mm² 相當誇張,支援最多雙路配置,單顆最高 40 核心、80線程,50MB L2 Cache、60MB L3 Cache,支援 8 Channel DDR4-3200 系統記憶體,支援 64 條 PCIe 4.0 Lanes,並支援新一代 AVX 512 指令集。
傳 Intel 考慮修改制程節點命名方式 2023 年 7nm 制程可能改名成 5 nm !!
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不能否認,Intel 制程命名相較 TSMC、SAMSUNG 都更為嚴謹,就連光刻機龍頭 ASML 都表明,從技術指標來說 Intel 的 7nm 制程規格相等於 TSMC、SAMSUNG 的 5nm 制程,但從市場推廣來說卻非常不利,市場傳言 Intel 正考放棄以節點名的方式,以迎合行業慣例。

現時,Intel 正量產 10nm 行動 / 伺服器處理器,其電晶體密度高達 100.76MTr/mm²,其實遠超過 TSMC 7nm HPC 的 66.7MTr/mm²、TSMC 7nm FF+ 的 96.5MTr/mm² 及 SAMSUNG 7nm 的 96.5MTr/mm²,但使用制程節點來命名做法對於 Intel 來說相當不利。

據消息人仕指出,Intel 正考慮修改制程命名方式,不再使用制程節點作命名的做法以迎命行業慣例,其中一個原因是 Intel 未來將會接代工訂單,如果再使用舊有命名方式做營銷會非常被動。
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