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俄羅斯 31 日宣佈向莫斯科電子技術學院 (MIET) 撥款 67 億盧佈、約 6,100 萬港幣,研發全新 X 射線光刻機,技術相較 ASML 公司的 EUV 光刻機更先進,有望打破西方國家技術制裁並終止 ASML 公司的壟斷地位。有別於傳統的EVU 極紫外線光刻機,X 射線光刻技術採用同步加速度配合等離子體源的無遮罩光刻技術,由於 X 射線波長介乎10nm 至 0.01nm 相較 EUV 更短,理論上能提供更高的光刻分辨率,能提供更先進的制程工藝。
X 射線光刻機另一個優勢是直寫光刻,無需要用光掩遮罩,因此成本也能大大降低,俄羅斯媒體更宣傳此舉將打破西方在晶片技術上的制裁,同時能打破 ASML 公司多年來的壟斷。
綜合外電報導,TSMC 台積電 3nm 制程工廠建設進展順利,將會在第三季正式進入風險試產,如果順利的話將會於 2022 年大規模量產 3nm 晶片,TSMC 將在晶圓代工技術上保持領導優勢。據了解,無論是 TSMC 或是 SAMSUNG,半導體制程均已推進至 3nm 級別,技術研發基本上已完成,剩下來是產能和良率問題了,但 2nm 制程將會是 TSMC 的重大挑戰,因為 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中導入 GAA 環繞閘極工藝,TSMC 做法則比較保守,選擇在 2nm 制程才導入 GAA 環繞閘極工藝,所以 2nm 對 TSMC 來說將會是一次重要的技術世代。
與 5nm 制程相比, TSMC 3nm 的電晶體管密度提升70%,性能提升 15% 或者功耗降低 30%,表現相當出色。