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Toshiba 27 日公佈新一代 e-MMC 及 UFS 內嵌式晶片,採用 15nm 工藝製造,內建 e-MMC (JEDEC 版本 5.1) 及 UFS (JEDEC 版本 2.1 集成控制器技術,有效令讀寫速度最高提升達 140% 。最新的 UFS 控制器更採用 M-PHY 3.0 內核及數碼 UniPro 1.6 內核,令控制器及 NAND 更配合,發揮更佳效能。eMMC 及 UFS 主要將 NAND Flash 記憶體整合控制器成為單一封裝,能有效節省內部空間,令設計人員能靈活運用內部架構進行產品輕量化。
同時,將主處理器對儲存元件的處理負載轉移至控制器中,包括: bad block management 、 error correction 、 wear leveling 及 garbage collection 等,能令處理器釋出更多資源處理其他程序。
2015-11-30
Toshiba America Electronic Components (TAEC) 近日發佈最新無線充電技術研究,為加強無線充電技術的實際應用範疇, TAEC 積極將功能及效率加強,更以首個單一晶片無線充電收發器登場,引起市場關注,推動下代借能裝置必備的無線充電技術進程。TAEC 早前發佈的無線充電晶片型號為 TC7766WBG ,其採用符合主流的 Qi V1.2 標準制式,市場上備有三款主流無線充電標準,句括 A4WP 、 PMA 及 Qi , A4WP 以磁共震無線充電,而 PMA 及 Qi 則利用電磁感應式充電,現時 A4WP 及 PMA 已宣佈合作成為聯盟,將兩種不同技術進行整合。
同時, TAEC 最新推出的晶片主要加強電流輸出及電壓支援範圍,其輸出功率強化至 1.7A ,相對以往無線 Qi 充電的輸出功率大大增強,直迫有線充電的充電效率。此外, 其電壓亦能支援 5 - 14V 的範圍並最大輸出升級至 15W ,雖然規格上加強化了,但其尺吋保持跟上代一樣。
Apple iPhone 6S/6S+ 近日烽煙四起,內建的 A9 SoC 處理器因由兩家不同供應商提供,效能及功耗出現差異,令用家十分困擾,更指若非 TSMC A9 SoC 處理器的手機,將會作出更換。其實除了 A9 SoC 處理器外, iPhone 6S/6S+ 內部各零件均由多間供應商提供,內建的 NANA Flash 、 RAM 及屏幕亦各有不同,主要供應商包括 Micro 、 LG 、 Samsung 、 SK Hynix 、 Sharp 、 TSMC 及 Toshiba 。A9 SoC 處理器方面,主要由 Samsung 及 TSMC 供應,兩者生產的工藝制程有所不同, Samsung 以 14nm FinFET 制程生產,型號為「 APL0898 」,另外由 TSMC 生產的 A9 SoC 處理器則採用 16 FinFET 制程生產,但據用家或科技公司自行測試所得的結果顯示,由 TSMC 所生產的 A9 處理器無論功耗或效能亦相對 Samsung 所生產的 A9 SoC 處理器較優。
此外,以上事件更受到 Apple 重視,罕見地發表聲明指 iPhone 6S 或 6S+ 配搭的處理器所提供的性能確有不同,但同樣符合 Apple 要求的生產標準。續稱,每款 iPhone 手機的性能均會出現有限度而且輕微的性能差異,差異值約為 2%-3% 。
TOSHIBA 25 日宣佈正式量產基於 3D 堆疊技術的 BiCS NAND Flash 及自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) ,全新的 NAND FLASH 技術可以進一步降低 SSD 儲存容量成本,同時亦令 SSD 產品容量追上傳統機械硬碟,預計三年內企業用 SSD 產品將會提升至 128TB 容量。據了解, TOSHIBA 將會加速推動 SSD 容量發揮,傳統 HDD 的儲存容量優勢不再,計劃量產自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) 及 BiCS 3D NAND Flash 堆疊技術,雖然 SSD 容量開始追上傳統 HDD ,但寫入壽命仍然是 NAND Flash 技術的主要問題,高容量企業用 SSD 主要用作應付大量讀取的伺服器應用為主。