Samsung 日前在 ISSCC 2015 研討會上公布了第二代 3D V-NAND 的部份細節，並為新一代 3D V-NAND 的優化項目作出解釋，第二代 3D V-NAND 與上一代的差別，最主要是面積及密度上的分別，同一面積下的容量密度提升幅度超過兩倍，非常誇張。

上一代的 V-NAND 採用 MLC 設計，堆疊層數為 24 層，每 128Gbit 容量時所需佔用的面積大約 133 平方毫米 (133mm

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Samsung 繼去年推出專為 Note 4 而設的 Gear VR 虛擬實景裝置後，今年於 MWC 2015 期間，亦針對虛擬實景領域為 Galaxy S6 及 S6 Edge 推出專用裝置，名為 Gear VR Innovator Edition ，比上代更為進階完善，加強於虛擬實景裝置領的佈局。

最 新推出的 Gear VR Innovator Edition 專為 GALAXY S6 及 GALAXY S6 edge 而設，配合 5.1 吋 Super AMOLED 顯示屏幕，其屏幕支援 2K 解像度及 577ppi ，影像畫質約有 11% 提升，而且 Gear VR Innovator Edition 的可視範圍是 96 度及雙眼瞳孔距離覆蓋率為 54 至 70 毫米，所提供的影像更為清晰銳利，呈現的立體畫面迫真，讓用家能感受如真實環境的全方 位立體影像。

Gear VR Innovator Edition 外型以頭盔式設計，體積為 196 x 107.9 x 82.9 mm ，加入人體工學的肩帶及機械通氣式設計，整體比上代減少 15% ，長期使用亦輕巧舒適。新一代 Gear VR 更支援 USB 連接埠供電，能使用同時為使用中的智能手機充電，加強續航力。

MWC 2015 大會上， Samsung 發佈了 Galaxy S6 及 Galaxy S6 Edge 智能手機，是次 Samsung 兩款旗艦智能手機誠意十足，一改以往風格，特別將機身物料大革新，機身底面均採用強化玻璃覆蓋並以金屬包圍機身，令整體更為華麗，手感提昇。而另一款由 Galaxy S6 為基礎發展的 Galaxy S6 Edge 更為吸引，率先採用雙邊曲面側屏幕設計，將傳統平面屏幕加入兩側彎曲輔助屏幕加強功能性，更具創意。

Samsung Galaxy S6 及 S6 Edge 對於 Samsung 來說十分創新，首先要數 Galaxy S6 Edge 的雙邊曲面側屏幕，其採用傳統 5.1 吋 Super AMOLED 2K 屏幕配合兩側的彎曲屏幕，其屏幕由機面延至機側底部，除了能提供傳統智能手機的屏幕體驗外，兩側的彎曲屏幕能為用家提供更多互動功能，其提供更細心的功能，如信息提示、新聞預覽等、時計、錄音筆及間尺功能，讓用家不需開最耗電的主屏幕而進行操作。

Samsung S6 Edge

各大主流廠商近日均推出平價 4G 智能手機以應市場需求，繼 Sony 推出 Xperia E4g 針對入門級市場， Samsung 亦推出一款定價若，同樣支援 4G LTE 及雙卡雙待的智能手機 - Galaxy J1 ，其售價亦設定於 HK$1,500 元以下，屬於入門級大眾化機種。

Samsung Galaxy J1 主要入門級用家或經常來往中港兩地公幹的用家設計，提供 4G LTE Cat 4 制式及支援雙卡雙待功能，主要可作為後備或商務智能手機。其內建 1.2GHz 四核心處理器、 768 MB RAM 及 4GB ROM ，配備入門，搭配 4.3 吋 WVGA TFT 屏幕﹐支援 800 x 480 解像度，較適合單手操作的用家。

另外， Galaxy J1 備有 1850mAh 電池，加上設有超級省電模式，續航力持久，避免錯過重要來電及訊息。雖然以入門級為定位， Galaxy J1 仍設有 500 萬像素主鏡頭連 LED 閃光燈及 200 萬像素前置鏡頭，並備有聲控拍攝功能、手掌自拍等功能，方便用家。

Samsung 正式宣佈新一代流動處理器 Exynos 7 Octa 正式進入量產階段，採用現時最先進的 14nm 工藝製程，並以 3D 立體 FinFET 技術打造，為下一代流動裝置作重要指標。

Samsung Exynos 7 Octa 流動處理器集兩項現時最先進技術打造，採用業界領先的 14nm 工藝製程及 3D FinFET 技術打造，相對其他競爭對手， Samsung 率先以 14nm 工藝製程製造 Enxynos 7 系列處理器意味其集成的密集度能進一步提升，於同等尺吋的面積能容納更複習精密的電路系統，令訊號的物理電路路徑減低，從而優化了效能及功耗兩方面。

同時，受惠於 14nm 製程底下， Samsung 率先引入 FinFET 技術，以三維架構的 Transistors ，令電晶體佈局更為靈活，有別於平面的電路設計，採用 FinFET 技術處理器，其電晶體性能、功耗及密度等因素，減低了在高時脈下出現的漏電情況，相對 20 nm 製程及傳統技術的同系處理器能達到效能提升 20% 及減低功耗達 35% ，整體變得十分強悍。