LG 及 Samsung 一直良性競爭下，令智能手機屏幕變得多元化，由曲面屏幕開始 LG Flex 與 Samsung Galaxy Round ，以至現時 LG Flex 2 與 Samsung Galaxy S6 Edge+ ， 兩家廠商的非平面屏幕手機的製造工藝已十分成熟，曲面屏幕的玩法亦已變得大同小異。

相信多年前一直傳聞的可摺疊式屏幕是時侯派上用場，據外媒近日指出兩家廠商已經摩拳刷掌準備於 2016 年推出可摺疊式智能手機，其劃時代設計及創新的使用體驗，將會大大影響整個手機市場，而且可摺疊式的智能產品將會如兩後春筍般推出。

LG 於 2013 年中已經公佈一款 5 吋可撓式 OLED 屏幕，其採用塑膠物料製成，具彈性及可彎曲性，而且更耐摔防刮，工藝成熟，但一直遲遲未有公佈更多生產可撓式智能手機裝置，直至 2014 年初終於推出首款曲面屏幕及機身具彈性的 G Flex 智能手機，其推出引起市場很大迴響， LG 再下一城推出 G Flex 2 ，受到多項因素影響始終未能大受歡迎。

各大廠商近年意識到建立自家生態平台的重要性，紛紛打造自家平台，但礙於 Android 、 iOS 及 Windows 三大平台雄佔整個市場，其他系統難以進入市場。諸如 Samsung 早年推出的 Tizen 系統，現時仍處於半紅不黑的情況，為令 Tizen 系統能進一步壯大。 Samsung 選擇手機印度為跳板，希望以低價策略先搶佔人口數目全球排行第二的印度。

對於 Samsung 來說，推出 Tizen 智能手機是其中一個關鍵策略。為打造自家的作業系統除了減輕對 Google Android 系統的依賴，而且能透過 Tizen 增加用家的黏附性，並能建構自家的應用程式市集及多媒體商店等其他增加不同領域的營收。於年初發佈第一代 Tizen 手機 Samsung Z1 取得亮麗成績。

Apple iPhone 6S/6S+ 近日烽煙四起，內建的 A9 SoC 處理器因由兩家不同供應商提供，效能及功耗出現差異，令用家十分困擾，更指若非 TSMC A9 SoC 處理器的手機，將會作出更換。其實除了 A9 SoC 處理器外， iPhone 6S/6S+ 內部各零件均由多間供應商提供，內建的 NANA Flash 、 RAM 及屏幕亦各有不同，主要供應商包括 Micro 、 LG 、 Samsung 、 SK Hynix 、 Sharp 、 TSMC 及 Toshiba 。

A9 SoC 處理器方面，主要由 Samsung 及 TSMC 供應，兩者生產的工藝制程有所不同， Samsung 以 14nm FinFET 制程生產，型號為「 APL0898 」，另外由 TSMC 生產的 A9 SoC 處理器則採用 16 FinFET 制程生產，但據用家或科技公司自行測試所得的結果顯示，由 TSMC 所生產的 A9 處理器無論功耗或效能亦相對 Samsung 所生產的 A9 SoC 處理器較優。

此外，以上事件更受到 Apple 重視，罕見地發表聲明指 iPhone 6S 或 6S+ 配搭的處理器所提供的性能確有不同，但同樣符合 Apple 要求的生產標準。續稱，每款 iPhone 手機的性能均會出現有限度而且輕微的性能差異，差異值約為 2%-3% 。

Samsung 近日推出一款針對入門級用家設計的三防智能手機 - Samsung GalaxyActive Neo ，其內建配備入門級處理器，定價低廉，但擁有三防能力，包括防水、防塵及防撞，適合喜愛戶外運動或極限運動的用家作後備手機使用。

Samsung Galaxy Active Neo 智能手機能提供全天候的防護規格給用家，其符合美國軍用規格 MIL-STD-810G 當中的 21 項標準，支援 1.5 米下墜耐衝擊、防海水、防 1 米深淡水浸泡 (IPX5/7) 、防塵 (IP6X) 、防潮濕、防日曬、防結冰等等多種防護，為首款多防護入門手機。

屏幕方面， Galaxy Active Neo 配備 4.5 吋 TFT 屏幕，支援 WVGA 解像度，以 Gorilla Glass 4 覆蓋表面，防刮防花，耐用度力強。此外，內建 2,200mAh 電池，支援快速充電功能。同時，搭配 800 萬像素主鏡頭及 200 萬像素自拍鏡頭，並於機側提供實體按鍵，方便用家於水上活動、滑雪等活動時即時拍攝。

旗艦級智能手機規格發展速度飛快，各項硬件的規格直迫傳統 PC ，現時大部份旗艦手機以 3GB - 4GB RAM 為指標，近日 Samsung 宣佈開始量產 20nm 工藝制程 12Gb LPDDR4 RAM ，預視下一代旗艦級智能裝置即將採用 6GB RAM ，令系統處理速度敏捷及操作順暢。

智能裝置硬件競爭激烈，各廠商均以不同硬件效能作為賣點吸引用家關注。現時市場上的旗艦級智能裝置亦會配備 3GB RAM ，其使用 4 顆 6Gb 核心的顆粒，而 4 GB RAM 則採用 4 顆 8Gb 核心的顆粒，近日 Samsung 宣佈開始量產 20nm 工藝制程 12Gb LPDDR4 RAM ，進一步將現時較普及的 8Gb 提升至 12Gb 。