為針對嵌入式 NAND 存儲和固態硬碟應用市場，並加速 NANA Flash 快閃記憶體技術發展， Samsung Electronics 6 日於其官方網站中宣佈目前已正式量產採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體，採用垂直單元結構，能夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制，提升性能和面積比的計率，而且也可提升可靠性表現。

據 Samsung Electronics 表示，過去 40 年來， Samsung Electronics 一直專注研發傳統平面結構的快閃記憶體。由於製造工藝技術進入 10nm 製程，其比例限制變得更大，加上可靠性也會受到影響並提升開發成本和時間，因此 Samsung 早前研究利用 3D 垂直設計技術生產 V-NAND 快閃記憶體。

新推出的 V-NAND 利用基於 3D 電荷捕獲型 NANA Flash(CTF) 技術和垂直互連工藝技術，利用垂直單元結構，在單一芯片上可提供 128 Gb 容量，透過這些技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力。

Apple 及 Samsung 近年常為專利問題在法律訴訟上相互對疊，早前於今年 6 月時份， Apple 被裁定侵犯 Samsung 「傳輸格式組合識別碼」 ( TFCI ) 技術專利罪名成立， Apple 被判定凡於相關智能手機及平板電腦包括 iPhone 3 、 iPhone 3S 、 iPhone 4 、 iPad 2 及 iPad 3G 限制出入口，禁止有關機種於境內發售，但美國政府有權於 60 日期限內作出否決。

直至 8 月 3 日，美國政府否決美國國際貿易委員會 ( ITC ) 關於禁止有關 Apple 產品輸入美國的行政裁決，理由為「對美國經濟中的競爭狀況及對美國消費者的影響」為最終考量因數而否定其禁令，更直言 Apple 挺身捍衛創新，而 Samsung 則不應濫用專利制度。

Samsung 於年初所發佈的雙四核心處理器引來成中熱話，其採用的兩個不同架構打造的四核心處理器打造一款省電及高效的處理器，於市場上可謂數一數二，為進一步加行動處理器的強市場競爭力， Samsung 最近發佈最新型號的 Exynos 5 Octa 流動處理器增強於流動處理器市場的競爭力。

Samsung 最新發佈的 Exynos 5 Octa 流動處理器，型號為 5420 ，建基於 Cortex A15 SoCs 運行 ARM big.LITTLE 架構技術打造。其中第一組建於 Exynos 5 Octa 5420 處理器內的 ARM Cortec A7 四核心處理器運作時脈最高為 1.2GHz ；而 ARM Cortec A 15 四核處理器運作時脈為 1.8GHz ，並利 ARM big.LITTLE 架構技術以獨立 Power Gate 以據當前應用而開關兩顆處理器，以達致效能及省電兩方面的平衡，據 Samsung 指出 5420 更比上代提升 20% 效能。

Samsung 針對喜好拍攝的智能手機機用家，推出一款集數碼相機及智能手機功能於一身的 Galaxy S4 Zoom ，其外型十分獨特，機面與 Galaxy S4 Mini 相若，但機背則採用數碼相機外型，其配備多項數碼相機配置的規格，如 10 倍光學變焦、 1,600 萬像素鏡頭、實體快門鍵及手動調控相機鏡頭數值等，滿足對拍攝的不同需求，同時又能智能手機的功能，提供語音通話功能、 3G 數據連線、運行 Andriod 應用程式等，令 Galaxy S4 Zoom 揉合兩方面的優點。

Samsung 17 日發佈全新 Tab 3 平板電腦系列，分別推出三款不同尺吋供用家選購，較適合單手操作的分別有 7 吋及 8 吋屏幕版本，也有推出擁有寬大屏幕的 10 吋型號，令不同需求的用家亦能從中選購適合尺吋。

GALAXY Tab 3 平板電腦系列均以白色塑膠機背材質，以銀色邊框包圍機邊。 7 吋及 8 吋型號以垂直式設計，方便用家進行語音通語，而且能輕鬆單持於手上；而 10 吋則採用橫向設計，令用家觀看影片時更為適合，全系列均設有 MicroSD 卡插槽，支援 32GB 或 64GB 記憶卡擴充。另外， GALAXY Tab 3 系列支援 2.4GH 及 5GHz WiFi 頻道，再加上 Channel Bonding ，令用家連上 WiFi 時更有效率傳輸數據。

Galaxy Tab 3 7 吋型號方便用家單手操作