在以往的記憶體超頻領域，Samsung B-Die 有著高頻、低時序、食電壓的特性，一向都是高階用家追捧的產品，但 Samsung 在日前宣佈 B-Die 顆粒即將進入 EOL 狀態，那麼接替的會是甚麼的產品? Micron 最新宣佈旗下的 Ballistix Elite DDR4 記憶體就創了一個新的超頻記錄，超頻後的頻率達到 DDR4-5726MHz ，更超越了 ADATA Spectrix D60G 記憶體僅僅 3 日 DDR4-5634MHz 的紀錄。

這個新的紀錄是由 OGS 超頻遊戲系統團隊的成員 Stavros Savvopoulos 和 Phil Strecker 採用 Intel Core i7-8086K CPU、ASUS MaximusXI Apex 主機板、Ballistix Elite 360​​0mt/s 8GB 記憶體模組以及 LN2 液氮冷卻系統打造，這個破記錄頻率在 HWBOT 上能夠找到。相比之前 ADATA Spectrix D60G 記憶體的超頻記錄 5634MHz 整整提高了 92MHz，是一個相當大幅度的提高。

Micron Ballistix Elite DDR4 的 5726MHz 超頻速度，比 JEDEC DDR4 速度 3200MHz 快 79%，比目前認為主流的 2666 MHz 快 115%。

DRAM 合約價自去年第四季開始下跌，不少分析更將 2019 年第一季跌幅由原先預估的 25% 調整至逼近 30%，是繼 2011 年以來單季最大跌幅，不過有留意市況的用家都會發現，當 DRAM 價跌之時工廠就會有事故出現，你無估錯，今次發生事故的就輪到「Micron」，位於台中后里園區的記憶體封測廠在昨日發生二氧化碳外洩意外，有十名人員因身體不適送院。

據了解， Micron 位於台中后里的在 3 月 20 日中午進行消防設備保養檢測，檢測時懷疑外包廠商員工不慎誤觸二氧化碳滅火設備導致二氧化碳外洩， 約有十名員工因吸入過多二氧化碳導出現身體不適，其中 2 人一度失去意識，即時送院救治。

在事故發生後，Micron 已即時疏散部份員工，表明事故對整個生產並沒有影響，目前工廠已經恢復運作，這方面相關供貨商也表示如此，現正亦就此事配合有關單位進行調查。

NVIDIA 在新一代 GeForce RTX 20 系列不但採用了全新的 Turing 架構之外，亦升級搭配了新一代的 GDDR6 記憶體，Micron 最新宣佈將成為 NVIDIA RTX 20 系列繪圖卡的合作夥伴，將會將在未來幾個月為 RTX 2070 以上產品提供 GDDR6 記憶體。

在未正式推出 GDDR6 記憶體之前，Micron 推出了 GDDR5X 記憶體作為 GDDR5 和 GDDR6 之間的橋樑，但只有 Micron 一家將 GDDR5X 推出市場，直至發佈了全新的GDDR6記憶體，Micron 預計 GDDR6 將成為廣泛採用且壽命長的產品，因此已停止進一步開發 GDDR5X。

Micron 最新的公告指出，已正式與 NVIDIA 達成合作協議成為 RTX 20 系列繪圖卡供應 8Gb GDDR6 記憶體，用於生產包括 RTX 2070、RTX 2080 及 RTX 2080Ti 型號，雖然 Micron 還有開發 Hybrid Memory Cube 產品，但公司表明將會專注生產用於圖形應用的 GDDR6 記憶體，並會預留足夠的生產線，全力量產 GDDR6 記憶體以減低記憶體供不應求的情況，並計劃未來用作開發 HBM2。

Intel 與 Micron 在今年 1月宣佈將會在 2020 年後終止 NAND Flash 合作夥伴關係，但在此前將不會對雙方的製程提升、產品規劃產生重大影響，Intel 最新就更新了他們的 3D XPoint 聯合開發合作夥伴關係，兩家公司已同意完成第二代 3D XPoint 技術的聯合開發，預計將於 2019 年上半年完成。

3D XPoint 架構的非揮發性記憶體運作原理是以快閃記憶體單元的選擇器和儲存部分採用硫族化物作材料，使用電阻並且是位元可尋址，基於「 bulk 材料的電阻變化」，從而比傳統的快閃記憶體於讀寫運作上更快、更穩定，而且各個資料單元不需要電晶體，因此封裝密度將是 DRAM 的 4 倍。

3D XPoint 於存取速度及延遲值上將有著可媲美 DRAM 的性能表現，但價格卻是 DRAM 的一半左右，速度上相較傳統 NAND 快閃記憶體快 1000 倍及耐用可高達 1000 倍，即最少一百萬覆寫次數，比起 NAND 快閃記憶體能耐的 3000 至 10000 覆寫次數高出很多，即使有 Trimming 跟 Over Provisioning 的提升也只是接近十萬覆寫次數，但價格方面會比 NAND 快閃記憶體貴 4 至 5 倍。

半導體行業近年不斷傳出侵權訴訟案，Micron 與 UMC 聯電的侵權案週旋了半年以上，中華人民共和國福州中級人民法院最終裁定 Micron 侵犯聯電專利權，並發佈了針對 Micron 半導體（西安）有限公司和 Micron 半導體（上海）有限公司的初步禁令，要求 Micron 在中國禁止銷售 26 個 DRAM 和 NAND 相關產品，包括旗下推出的 SSD 及記憶體，並需要賠償人民幣 2.7 億元。

聯華電子於 2018 年 1 月向中國大陸法院提起針對美光的專利侵權訴訟，涉及三個領域，包括與 DDR4、SSD 及繪圖卡記憶體相關的特定記憶體應用，福州中級人民法院的裁決，Micron 的產品面臨著中國大陸的法院判決中違反聯華電子專利權的禁令。

聯華電子表示， Micron 在中國大陸地區銷售的產品侵害了聯華電子在大陸地區獲准的專利權，聯華電子投入大量資源和人力來研究和開發半導體製造技術，其成就可應用於邏輯晶片或儲存晶片（DRAM），該公司已獲得多個國家的專利。隨著市場條件的發展，聯華電子不斷監控這些專利。當違規行為發生時，聯華電子隨時準備進行專利侵權訴訟，以獲取判斷和補救措施，以保護公司的知識產權。